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Hochreines, sauerstofffreies Kupfer

Sauerstofffreies Kupfer (OFC) wird durch Vakuumschmelzen und anschließende Kohlenstoffreduktion hergestellt. Der Sauerstoffgehalt liegt bei ≤ 0,001 % (10 ppm), die Reinheit bei bis zu 99,99 %. Dadurch wird die Beeinträchtigung der Leitfähigkeit durch Kupferoxid (Cu₂O) vollständig eliminiert. Die elektrische Leitfähigkeit beträgt ≥ 101 % IACS und ist damit deutlich besser als die von herkömmlichem Kupfer (100 % IACS). Dies reduziert die Übertragungsverluste hochfrequenter Signale und macht OFC geeignet für 5G-Basisstationen, Satelliten-HF-Komponenten und weitere Anwendungsbereiche.

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    Produktdetails

    Technische Merkmale: stabil und zuverlässig, geeignet für raue Umgebungen

    • Beständigkeit gegen Wasserstoffversprödung: keine Korngrenzenoxidbildung, Vermeidung von Reaktionen mit Wasserstoff zur Blasenbildung, geeignet für Vakuumröhren, Teilchenbeschleuniger und andere Geräte.
    • Superduktilität: Dehnung > 40 %, unterstützt das Stanzen in 0,03 mm ultradünne Folie für flexible Leiterplatten (FPC)-Substrate.
    • Hohe Temperaturbeständigkeit: Kein Risiko der Korngrenzenoxidation unter 400℃, um den Anforderungen an Hochtemperaturbeschichtungen für Halbleiter-Sputtertargets gerecht zu werden.

    Anwendungsszenario: Lösung von Problemen in der Industrie

    1. Chipherstellung: Das sauerstofffreie Kupfertarget C10100 wird gleichmäßig abgeschieden, wodurch die Ausbeute der Wafermetallisierungsschicht verbessert wird.
    2. Hochfrequenzkabel: OFC-Koaxialkabel reduzieren die Signaldämpfung und gewährleisten die Stabilität der Millimeterwellen-Radar-Datenübertragung.
    3. Supraleitende Ausrüstung: Der Widerstand der sauerstofffreien Kupferspule OFHC nähert sich Null und unterstützt so den effizienten Betrieb von MRT-Magneten.

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